[发明专利]一种太赫兹芯片在审
申请号: | 201810918445.6 | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN109065664A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 张宇 | 申请(专利权)人: | 苏州特拉芯光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/0304 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 张丽 |
地址: | 215000 江苏省苏州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种太赫兹芯片,包括三五族衬底,所述三五族衬底上方设置有外延层,三五族基片通过过渡层与外延层连接,所述外延层上表面中部设置有肖特基结,环绕肖特基结设置有氧化层,所述氧化层固定敷设在外延层的上表面上,所述氧化层与外延层之间设置有P型扩散区,所述肖特基结、P型扩散区和氧化层上均设置有电极金属。本发明的芯片厚度小,抗瞬态干扰能力强,芯片的工作频率高,倍频混频等功能效果好。 | ||
搜索关键词: | 外延层 氧化层 肖特基结 芯片 上表面 衬底 抗瞬态干扰能力 电极金属 工作频率 功能效果 过渡层 倍频 混频 环绕 | ||
【主权项】:
1.一种太赫兹芯片,其特征在于:包括三五族衬底(1),所述三五族衬底(1)上方设置有外延层(4),三五族基片(1)通过过渡层(5)与外延层(4)连接,所述外延层(4)上表面中部设置有肖特基结(2),环绕肖特基结(2)设置有氧化层(3),所述氧化层(3)固定敷设在外延层(4)的上表面上,所述氧化层(3)与外延层(4)之间设置有P型扩散区(6),所述肖特基结(2)、P型扩散区(6)和氧化层(3)上均设置有电极金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的