[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
申请号: | 201810919463.6 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN109346581B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 程丁;韦春余;周飚;胡加辉 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法,属于发光二极管制造领域。在电子阻挡层与P型GaN层之间设置包括交替层叠的氮化铟与氮化镓的超晶格结构,氮化铟与氮化镓的超晶格结构可起到减小外延层中的位错与缺陷的作用,可提高外延片的整体质量。并且由于超晶格结构内的氮化铟的势垒较低,因此空穴在移动至有源层中之前,会在超晶格结构内的氮化铟处大量积累,积累在超晶格结构内的大量空穴,提供了较大的空穴基数,使得能够同时进入有源层的空穴数量增加,进而使得在有源层内可与电子复合的空穴的数量增加,提高了有源层中的电子的复合效率,进而提高了发光二极管的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管的外延片,其特征在于,所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、超晶格结构及P型GaN层,所述超晶格结构包括交替层叠的氮化铟层与氮化镓层。
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