[发明专利]一种低温环保纳米纤维场效应晶体管的制备方法在审
申请号: | 201810919723.X | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN109103112A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 单福凯;王超;刘国侠 | 申请(专利权)人: | 青岛大学 |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L29/06;H01L29/24;D01D5/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 李宏伟 |
地址: | 266071 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种低温环保纳米纤维场效应晶体管的制备方法,首先制备二氧化硅绝缘层,配制前驱体溶液,静电纺丝法制备纳米材料,制得一维金属盐/聚合物复合纳米纤维;一维金属盐/聚合物复合纳米纤维放置在高压汞灯下,用高压汞灯产生的UV光处理,处理后得到与衬底具有良好粘附性和界面状态的光处理复合纳米纤维样品;将光处理复合纳米纤维样品进行热退火,形成氧化物纳米纤维;利用热蒸发沉积源漏电极:将铝丝挂在钨丝上,将退火后的氧化物纳米纤维放入蒸发室,抽真空,对钨丝使用电流加热使挂在上面的铝丝蒸镀到氧化物纳米纤维上。本发明的有益效果是通过简单的工艺、低廉的成本、简便的操作,环保的材料,为大面积制备高性能、无毒环保的场效应晶体管提供了可行性方案。 | ||
搜索关键词: | 复合纳米纤维 纤维 场效应晶体管 氧化物纳米 制备 钨丝 高压汞灯 环保纳米 聚合物 光处理 金属盐 铝丝 二氧化硅绝缘层 退火 前驱体溶液 热蒸发沉积 制备高性能 电流加热 界面状态 静电纺丝 纳米材料 无毒环保 源漏电极 抽真空 热退火 粘附性 蒸发室 衬底 放入 蒸镀 配制 环保 | ||
【主权项】:
1.一种低温环保纳米纤维场效应晶体管的制备方法,其特征在于按照以下步骤进行:(1)制备二氧化硅绝缘层:采用单面抛光P型低阻硅(ρ<0.0015Ω·cm)作为衬底,用氢氟酸、丙酮和酒精依次对硅片超声波清洗,再用去离子水冲洗后用高纯氮气吹干;对其进行高温退火;(2)配制前驱体溶液:先将硝酸铟In(NO3)3·xH2O溶于去离子水中,磁力搅拌形成前驱体溶液,再将聚乙烯醇加入到前驱体溶液中得到混合溶液;(3)静电纺丝法制备纳米材料:将混合溶液加入注射泵内,向前推进注射泵,同时注射泵的针头处连接直流高压电源,将含有二氧化硅绝缘层的基片放置在收集板上,在电场力、库仑力、表面张力等作用下,注射泵内溶液从针头喷出并剧烈抖动且直径迅速下降,最后被接收端接受,由此制得一维金属盐/聚合物复合纳米材料;(4)UV光处理:一维金属盐/聚合物复合纳米材料放置高压汞灯旁,用高压汞灯产生的UV光处理,处理后得到与衬底具有良好粘附性和界面状态的光处理复合纳米纤维样品;(5)退火处理:将光处理复合纳米纤维衬底样品进行退火,以形成氧化物纳米纤维;(6)利用热蒸发沉积源漏电极:将铝丝挂在钨丝上;抽真空,将氧化物纳米纤维放入蒸发室;对钨丝使用电流加热,使钨丝上的铝丝融化蒸镀到之前退火处理后的氧化物纳米纤维上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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