[发明专利]沟槽型超级结的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面形成有第一外延层的半导体衬底；步骤二、采用光刻工艺定义出具有第一宽度的沟槽的形成区域并进行第一次刻蚀形成多个所述沟槽；通过缩小第一宽度来改善沟槽的结构参数；步骤三、采用牺牲氧化工艺对沟槽进行扩大工艺，在保证步骤二中改善的沟槽的结构参数不变条件下扩大沟槽的宽度；步骤四、采用外延工艺在沟槽中填充第二外延层并形成沟槽型超级结。本发明能改善沟槽的结构参数以及提高沟槽的面内均匀性，能提高沟槽的填充工艺的便利性，能提高器件的击穿电压以及击穿电压的面内均匀性以及提升生产良率。

主权项

1.一种沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有具有第一导电类型的第一外延层；步骤二、采用光刻工艺定义出沟槽的形成区域并对所述第一外延层进行第一次刻蚀从而在所述第一外延层内形成多个所述沟槽；所述光刻工艺定义的所述沟槽的宽度为第一宽度，所述沟槽之间的间距为第二宽度，通过缩小所述第一宽度来改善所述第一次刻蚀形成的所述沟槽的结构参数；步骤三、对所述沟槽进行扩大工艺，所述扩大工艺采用先形成牺牲氧化层之后再去除所述牺牲氧化层的方法，扩大后的所述沟槽具有第三宽度，扩大后的所述沟槽之间的间距具有第四宽度，所述第三宽度大于所述第一宽度，所述第三宽度和所述第四宽度的和等于所述第一宽度和所述第二宽度的和，所述扩大工艺在保证步骤二中改善的所述沟槽的结构参数不变条件下扩大所述沟槽的宽度，通过扩大所述沟槽的宽度来提高后续外延填充的便利性；步骤四、采用外延工艺在各所述沟槽中填充第二导电类型的第二外延层，由各所述第二外延层和位于所述沟槽之间的所述第一外延层交替排列组成沟槽型超级结。