[发明专利]半导体通孔的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体通孔的制造方法，包括：步骤一、提供一表面形成有第一层间膜的半导体衬底并光刻刻蚀形成通孔的开口；步骤二、形成Ti层；步骤三、在TiN层的表面形成TiN层，将所需厚度的TiN层分成二层以上的TiN子层叠加而成，在最后一层TiN子层形成之前，各TiN子层形成之后都包括一步应力释放处理工艺从而减少TiN层的总应力；步骤四、形成钨层；步骤五、进行回刻工艺，由回刻后填充于开口中的钨层、TiN层和Ti层作为通孔。本发明能防止在形成钨层的过程中产生钨晶须，从而避免钨回刻后产生钨残留，从而能提高通孔的电学性能。

主权项

1.一种半导体通孔的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、提供一表面形成有第一层间膜的半导体衬底，采用光刻刻蚀工艺形成通孔的开口，所述开口穿过所述第一层间膜；步骤二、形成Ti层，所述Ti层形成于所述开口的内侧表面并延伸到所述开口外的所述第一层间膜的表面；步骤三、在所述TiN层的表面形成TiN层，将所需厚度的TiN层分成二层以上的TiN子层叠加而成，依次形成各所述TiN子层，在最后一层TiN子层形成之前的各TiN子层形成之后都包括一步应力释放处理工艺，所述应力释放处理工艺将对应的TiN子层的应力释放同时打乱后续形成的TiN子层的趋向生长，防止由各TiN子层的趋向生长所产生的应力叠加，从而减少所述TiN层的总应力；步骤四、形成钨层，所述钨层将所述开口完全填充，所述TiN层和所述TiN层作为所述钨层和所述第一层间膜之间的阻挡层，通过步骤三的对所述TiN层的应力减少，防止在形成所述钨层的过程中产生钨晶须；步骤五、进行回刻将所述开口外的所述钨层、所述TiN层和所述Ti层都去除，由填充于所述开口中的所述钨层、所述TiN层和所述Ti层作为所述通孔。