[发明专利]半导体器件性能改进有效
| 申请号： | 201810920220.4 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109585556B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 栾洪发;张惠政;赵晟博;顾文昱;陈毅帆;彭峻彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文描述的实施例在高压退火工艺之后提供热处理工艺以将氢保持在场效应晶体管中的沟道区与栅介电层之间的界面处，同时从栅介电层的主体部分去除氢。热处理工艺可以减小由高压退火引起的阈值电压偏移量。高压退火和热处理工艺可以在形成栅介电层之后的任何时间实施，因此不会中断现有的工艺流程。本发明的实施例还涉及半导体器件性能改进。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 性能 改进 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：有源区，位于衬底上，所述有源区具有沟道区；栅极结构，位于所述有源区的所述沟道区上方，其中，所述栅极结构包括：界面层，位于所述有源区上方；栅介电层，位于所述界面层上方；和栅电极层，位于所述界面层上方；并且其中，所述界面层中的氢的峰值浓度与所述栅介电层中的氢的峰值浓度的比率在0.1至10的范围内。
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