[发明专利]薄膜沉积方法及炉管装置在审
| 申请号： | 201810920325.X | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109023309A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈伯廷;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积方法及炉管装置。所述薄膜沉积方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆位于持续喷射反应气体的晶舟内；对所述晶圆加热，以形成第一膜层于所述晶圆表面，所述第一膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐增大；对所述晶圆降温，以形成沿所述晶圆轴向方向层叠于所述第一膜层表面的第二膜层，所述第二膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐减小。本发明沉积于晶圆表面的薄膜的厚度分布更加均匀，确保了晶圆产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 薄膜沉积 第一膜层 晶圆表面 晶圆中心 炉管装置 膜层 指向 半导体制造技术 喷射反应气体 厚度分布 晶圆产品 轴向方向 逐渐减小 逐渐增大 沉积 晶舟 良率 薄膜 加热 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆位于持续喷射反应气体的晶舟内；对所述晶圆加热，以形成第一膜层于所述晶圆表面，所述第一膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐增大；对所述晶圆降温，以形成沿所述晶圆轴向方向层叠于所述第一膜层表面的第二膜层，所述第二膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐减小。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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