[发明专利]一种低温镀氟化镁膜的工艺在审
| 申请号： | 201810920333.4 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN108998760A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王春生;张荣晋;孙爽 | 申请（专利权）人： | 苏州安洁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/28 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杜丹盛 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温镀氟化镁膜的工艺，其使得在低温环境下即可进行镀膜，确保直接冷度达到1.38，保证膜的硬度和附着力。预先在待镀膜基板的表面镀TiO2膜、SiO2膜或TiO2和SiO2的混合膜三种膜的至少一种基础膜，最后在基础膜的最外层镀氟化镁膜，所述氟化镁膜进行镀膜时在真空镀膜机中进行，向镀膜腔注入电离子、温度为30℃～100℃。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化镁膜 基础膜 镀膜 附着力 待镀膜基板 真空镀膜机 低温环境 表面镀 电离子 镀膜腔 混合膜 最外层 冷度 保证 | ||
【主权项】：
1.一种低温镀氟化镁膜的工艺，其特征在于：预先在待镀膜基板的表面镀TiO2膜、SiO2膜或TiO2和SiO2的混合膜三种膜的至少一种基础膜，最后在基础膜的最外层镀氟化镁膜，所述氟化镁膜进行镀膜时在真空镀膜机中进行，向镀膜腔注入电离子、温度为30℃～100℃。
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