[发明专利]半导体结构及形成集成电路结构的方法有效
| 申请号： | 201810920693.4 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110416303B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 林大钧;许博钦;潘国华;廖忠志;林志勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构，其包括从半导体衬底挤出的鳍式有源区域；以及设置在鳍式有源区域上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括栅极介电层和设置在栅极介电层上的栅极电极。栅极介电层包括第一介电材料。半导体结构进一步包括设置在鳍式有源区域上的第二介电材料的介电栅极。栅极介电层从栅极电极的侧壁延伸到介电栅极的侧壁。第二介电材料在组分上与第一介电材料不同。本发明实施例还提供一种形成集成电路结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：从半导体衬底挤出的鳍式有源区域；设置在所述鳍式有源区域上的栅极堆叠件，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层和设置在所述栅极介电层上的栅极电极，其中，所述栅极介电层包括第一介电材料；以及设置在所述鳍式有源区域上的第二介电材料的介电栅极，其中，所述栅极介电层从所述栅极电极的侧壁延伸到所述介电栅极的侧壁，以及所述第二介电材料在组分上与所述第一介电材料不同。
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