[发明专利]用于半导体器件的具有期望轮廓的栅极结构有效
| 申请号： | 201810920822.X | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277447B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王志平;陈昭成;林志忠;杨棋帏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了包括在栅极结构的不同部分具有不同轮廓的栅极结构的半导体器件结构。在一些实例中，半导体器件包括鳍结构，位于衬底上；源极/漏极结构，位于鳍结构上；以及栅极结构，位于鳍结构上方并沿着鳍结构的侧壁。源极/漏极结构邻近栅极结构。栅极结构具有顶部和底部，顶部具有第一侧壁轮廓，底部具有不同于第一侧壁轮廓的第二侧壁轮廓。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的具有期望轮廓的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 具有 期望 轮廓 栅极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍结构，位于衬底上；源极/漏极结构，位于所述鳍结构上；以及栅极结构，位于所述鳍结构上方并沿着所述鳍结构的侧壁，所述源极/漏极结构邻近所述栅极结构，所述栅极结构具有顶部和底部，所述顶部具有第一侧壁轮廓，所述底部具有不同于所述第一侧壁轮廓的第二侧壁轮廓。
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