[发明专利]一种超低损耗理想二极管在审
| 申请号： | 201810920906.3 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN108768358A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈石平;陈顺清;郑彩霞;彭进双 | 申请（专利权）人： | 广州奥格智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/74 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 510520 广东省广州市天河区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种超低损耗理想二极管，包括组合逻辑控制电路和第一P沟道MOS管，组合逻辑控制电路包括第二P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第一电阻和第二电阻，第一P沟道MOS管的漏极连接第二P沟道MOS管的源极，第一P沟道MOS管的源极电连接第三P沟道MOS管的源极，第一P沟道MOS管的栅极电连接第三P沟道MOS管的漏极，第二P沟道MOS管的栅极连接第二P沟道MOS管的漏极和第三P沟道MOS管的栅极，第二P沟道MOS管的漏极通过第一电阻接地，第三P沟道MOS管的漏极通过第二电阻接地。本发明有益效果：具有防止倒灌功能，可以保护前级电路；整个电路具有非常低的损耗，静态电流损耗小于100nA；使用组合逻辑控制电路，电路简单，成本很低，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 控制电路 组合逻辑 源极 理想二极管 超低损耗 电阻接地 电连接 电阻 电路 静态电流损耗 二极管技术 前级电路 栅极连接 | ||
【主权项】：
1.一种超低损耗理想二极管，其特征在于：包括组合逻辑控制电路和第一P沟道MOS管，所述组合逻辑控制电路包括第二P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第一电阻和第二电阻，所述第一P沟道MOS管的漏极连接第二P沟道MOS管的源极，所述第一P沟道MOS管的源极电连接所述第三P沟道MOS管的源极，所述第一P沟道MOS管的栅极电连接第三P沟道MOS管的漏极，所述第二P沟道MOS管的栅极连接第二P沟道MOS管的漏极和第三P沟道MOS管的栅极，所述第二P沟道MOS管的漏极通过第一电阻接地，所述第三P沟道MOS管的漏极通过第二电阻接地，当输入电压Vin不小于输出电压Vout时，PMOS管导通；反之PMOS管截止，防止Vout电流进行倒灌至Vin，保护Vin电源前级电路。
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