[发明专利]高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备有效
| 申请号： | 201810920927.5 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509788B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;锺镇阳 | 申请（专利权）人： | 陈敏璋 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台北市中正*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备。本发明的高介电常数介电层包含依序形成于半导体元件的材料层上的M层原子层沉积薄膜，其中M是大于1的整数。该材料层可以是半导体材料层、金属层或另一介电层。每一层原子层沉积薄膜是由氧化物且通过原子层沉积制程所形成。M层原子层沉积薄膜中的N层选定的薄膜，于原子层沉积制程期间或之后，经非反应性气体等离子体轰击，其中N是自然数且小于或等于M。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介电层 制造 方法 执行 设备 | ||
【主权项】：
1.一种高介电常数介电层，是形成于半导体元件内，所述高介电常数介电层包含：M层原子层沉积薄膜，是依序形成于所述半导体元件的材料层上，每一层原子层沉积薄膜是由氧化物且通过原子层沉积制程所形成，M是大于1的整数，其中所述M层原子层沉积薄膜中的N层选定的薄膜，于所述原子层沉积制程期间或之后，执行非反应性气体等离子体轰击，以对所述N层选定的薄膜产生退火的效果，以降低所述N层选定的薄膜的缺陷密度，N是自然数且小于或等于M。
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