[发明专利]金属氧化物层形成方法和等离子体增强化学气相沉积装置在审
申请号: | 201810921031.9 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN109385617A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 高东均;金友镇;金仁教;朴瑾禧;郑石源 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/50;C23C16/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;程月 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种金属氧化物层形成方法和等离子体增强化学气相沉积装置。所述方法包括在将有机金属化合物和氧化剂连续地注入到腔室中的同时,重复地引起等离子体关闭时间段和等离子体开启时间段。一个循环包括一个等离子体关闭时间段和一个等离子体开启时间段。在等离子体关闭时间段期间,在基底上形成包括具有多个原子层的有机金属化合物的物理和化学吸附层。在等离子体开启时间段期间,通过物理和化学吸附层中的金属原子与氧化剂中的氧原子的化学反应,形成比两个原子层厚的金属氧化物层。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 时间段 金属氧化物层 等离子体增强化学气相沉积装置 有机金属化合物 氧化剂 化学吸附层 原子层 化学反应 金属原子 氧原子 基底 腔室 重复 | ||
【主权项】:
1.一种形成金属氧化物层的方法,所述方法包括以下步骤:在将有机金属化合物和氧化剂连续地注入到腔室中的同时,重复地引起等离子体关闭时间段和等离子体开启时间段,一个循环包括一个等离子体关闭时间段和一个等离子体开启时间段,其中,在所述等离子体关闭时间段期间,在基底上由具有两个或更多个原子层的所述有机金属化合物形成物理和化学吸附层,并且在所述等离子体开启时间段期间,通过所述物理和化学吸附层中的金属原子与所述氧化剂中的氧原子的化学反应,形成比两个原子层厚的金属氧化物层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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