[发明专利]一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET

摘要

本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET，用以克服现有的集成肖特基续流二极管的碳化硅槽栅MOSFET元胞面积大、集成度低的缺点。本发明提供碳化硅槽栅MOSFET的元胞结构中，通过深槽正下方设置P+型电场屏蔽区，将肖特基二极管集成在深槽两侧，在集成肖特基二极管的同时实现了其所需的电场屏蔽效果，不仅在碳化硅槽栅MOSFET上集成了续流二极管，且具有低导通损耗和低开关损耗，同时具有高集成度和降低面积成本的优点。

主权项

1.一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET，其元胞包括：N+型衬底(8)，位于N+型衬底下的漏电极(10)，位于N+型衬底上的N‑型漂移区(1)，分别位于N‑型漂移区上左右两侧的P型基区(2)，P型基区之间设置的栅电极(4)，所述栅电极与P型基区之间及栅电极与N‑型漂移区之间设置的栅氧化层(5)，位于P型基区内的N+源区(3)，所述N+源区位于P型基区顶部且紧邻栅电极一侧，深入一侧P型基区(2)、且与N‑型漂移区(1)直接接触的深槽(6)，以及覆盖所述P型基区(2)、N+源区(3)与深槽(6)的源电极(9)；其特征在于，所述元胞还包括一个P+型电场屏蔽区(7)，所述P+型电场屏蔽区位于深槽(6)正下方，且所述源电极(9)于深槽(6)内侧壁位置与N‑型漂移区(1)形成肖特基接触。