[发明专利]高频磁场产生装置有效
| 申请号： | 201810921098.2 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109490804B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 芳井义治;斋藤正树;水落宪和;林宽 | 申请（专利权）人： | 胜美达集团株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/38 | 分类号： | G01R33/38;H01F5/00;H01F5/04 |
| 代理公司： | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人： | 刘香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 磁场 产生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高频磁场产生装置，其特征在于，具备：两个线圈，其以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置、或者相隔规定间隔相互平行地配置于电子自旋共振材料的一侧；高频电源，其生成导通至所述两个线圈的微波电流；以及传送线路部，其与所述两个线圈连接，并以使所述两个线圈位于驻波的波节之外的位置处的方式设定电流分布。
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