[发明专利]一种带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法，从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片；其中目标晶片的厚度为10~80μm，目标晶片的材料为钽酸锂、铌酸锂或石英；上电极和下电极均为厚度为5nm~1μm的金属膜，支撑衬底晶片的厚度为0.2~1mm，支撑衬底晶片的材料为硅、石英或玻璃，并且目标晶片和支撑衬底晶片的材料不同；本申请的带电极的反向台面超薄晶片，从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片；采用隔离层将目标晶片和支撑衬底晶片连接，其中目标晶片的表面质量好，表面平整度高，因而与目标晶片连接的上电极和下电极的有效面积大，制备的谐振器的频率稳定性高。

主权项

1.一种带电极的反向台面超薄晶片，其特征在于：从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片；其中目标晶片的厚度为10~80μm，并且目标晶片的总体厚度偏差TTV为0.005~1μm，表面粗糙度≤0.2nm，目标晶片的材料为钽酸锂、铌酸锂或石英；隔离层为二氧化硅，厚度为100~4000nm；上电极和下电极均为厚度为5nm~1μm的金属膜，所述金属为金、银、铜或铂；支撑衬底晶片的厚度为0.2~1mm，支撑衬底晶片的材料为硅、石英或玻璃，并且目标晶片和支撑衬底晶片的材料不同。