[发明专利]一种反向台面复合结构超薄晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810921590.X | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109065508B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 薛海蛟;李洋洋;胡文 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L21/48 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 张娟 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港兴*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反向台面复合结构超薄晶片及其制备方法，其中超薄晶片包括目标晶片和位于目标晶片底部具有支撑作用的衬底晶片，其中目标晶片的厚度为2~80μm，总体厚度偏差为0.005~1μm的平板薄片，此结构不仅能有效解决超薄晶片因厚度小、力学性能较差，容易受力破碎的问题，并且衬底晶片进行选择性腐蚀，成为框架结构，不会对目标晶片产生腐蚀，从而保留了其良好的表面结构和晶体特性；本申请的制备方法，采用掩盖涂层对衬底晶片进行保护，选择合适的腐蚀液进行选择性腐蚀衬底晶片得到反向台面复合结构，本申请的制备方法对目标晶片的力学性能没有影响，表面光洁度高，厚度小，并且可以工业化批量生产，效率高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 台面 复合 结构 超薄 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反向台面复合结构超薄晶片，其特征在于，包括目标晶片和位于目标晶片底部具有支撑作用的衬底晶片，其中目标晶片的厚度为2~80μm，总体厚度偏差为0.005~1μm的平板薄片，衬底晶片为框架结构；目标晶片为石英、单晶钽酸锂、单晶铌酸锂、碳化硅或砷化镓；所述衬底晶片为硅晶片、石英晶片或玻璃晶片。
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