[发明专利]平滑波导结构和制造方法有效

专利信息
申请号: 201810922621.3 申请日: 2018-08-14
公开(公告)号: CN109425931B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: A·费沙利;J·哈钦森;J·鲍特斯 申请(专利权)人: 瞻博网络公司
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/136
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;丁君军
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及平滑波导结构和制造方法。在被实现在绝缘体上半导体衬底中的集成光学结构(例如,硅‑氮化硅模式转换器)中,其侧壁基本上由与晶面一致的部分组成并且未横向延伸超过线波导的顶表面的线波导在性能和/或制造需要方面提供益处。这种线波导可以通过以下被制造:例如使用将半导体器件层向下干式蚀刻到绝缘体层以形成具有暴露侧壁的线波导,跟随有平滑结晶湿式蚀刻。
搜索关键词: 平滑 波导 结构 制造 方法
【主权项】:
1.一种集成光学结构,包括:绝缘体上半导体衬底,其包括半导体器件层;以及线波导,其被形成在所述半导体器件层中,所述线波导具有顶表面和侧壁,其中所述侧壁沿着所述线波导的长度的至少部分未横向延伸超过所述线波导的所述顶表面,并且所述侧壁基本上由与所述线波导的晶面一致的侧壁部分组成。
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