[发明专利]基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1‑xSnx材料构成，其中，0x1；所述发射极区采用III‑V族材料构成；所述III‑V族材料与所述Ge1‑xSnx材料的晶格失配度小于预设值，且所述III‑V族材料的能带带隙大于所述Ge1‑xSnx材料。本发明使得光电晶体管有着大的光电流放大倍数和高的灵敏度，且更容易实现高的光学增益。