[发明专利]一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路有效

专利信息
申请号: 201810925805.5 申请日: 2018-08-15
公开(公告)号: CN109039029B 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 明鑫;胡黎;张宣;潘溯;张春奇;秦尧;张志文;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路,属于电源管理技术领域。包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块,低压开关逻辑控制模块在第一低侧控制信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第一PMOS管的低压开关信号,高压开关逻辑控制模块在过零检测信号、第一低侧控制信号和第二欠压信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第二PMOS管的高压开关信号,过零检测信号由过零检测模块根据第二低侧控制信号采样栅驱动电路的开关节点处信号产生,高压电平位移模块用于得到合适电源轨的高压开关信号。本发明能够避免自举充电中负压过冲的现象,且解决了反向恢复损耗与高频过流性能退化的问题。
搜索关键词: 逻辑控制模块 高压开关 自举 栅驱动电路 充电模块 控制信号 低侧 过零检测模块 过零检测信号 自举充电电路 低压开关 高压电平 低压开关信号 电源管理技术 反向恢复 过流性能 合适电源 开关节点 欠压信号 信号产生 采样 负压 充电 退化
【主权项】:
1.一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路,所述栅驱动电路包括上功率管和下功率管,其特征在于,所述自举充电电路包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块;/n所述自举充电模块包括第一PMOS管(Q1)、第二PMOS管(Q2)和自举电容(C
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