[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810926077.X | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109950219A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 川城史义 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，其具有半导体层和设置于半导体层上的电极；以及接合线，其与电极连接，电极具有包含铜的第1金属层、设置于第1金属层与半导体层之间且包含铝的第2金属层、以及设置于第1金属层与第2金属层之间且与第1金属层及第2金属层不同的材料的第3金属层，第1金属层的厚度比第2金属层的厚度及第3金属层的厚度厚。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 第1金属层 半导体装置 半导体层 电极 半导体芯片 电极连接 厚度比 接合线 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：半导体芯片，其具有半导体层和设置于所述半导体层上的电极；以及接合线，其与所述电极连接，所述电极具有包含铜的第1金属层、设置于所述第1金属层与所述半导体层之间且包含铝的第2金属层、以及设置于所述第1金属层与所述第2金属层之间且与所述第1金属层及所述第2金属层不同的材料的第3金属层，所述第1金属层的厚度比所述第2金属层的厚度及所述第3金属层的厚度厚。
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