[发明专利]半导体结构以及相关操作和制造方法在审
| 申请号： | 201810926966.6 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109727623A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 于淳;林世杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭露一种半导体结构以及相关操作和制造方法。所述半导体结构包含：衬底；磁性层，其位于所述衬底上方；磁性穿隧结MTJ单元，其位于所述磁性层上方；和非磁性导电层，其位于所述磁性层与所述MTJ单元之间。本发明实施例还揭露一种用于制造所述半导体结构的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 磁性层 衬底 制造 非磁性导电层 磁性穿隧 | ||
【主权项】：
1.一种用于存储数据的半导体结构，所述半导体结构包括：第一端子、第二端子和第三端子，其中所述数据通过所述第一端子和所述第二端子写入到所述半导体结构中，且所述数据通过所述第二端子和所述第三端子从所述半导体结构读出；衬底；磁性层，其位于所述衬底上方，所述磁性层的第一端与所述第一端子物理接触，且所述磁性层的与所述第一端对置的第二端与所述第二端子物理接触；磁性穿隧结MTJ单元，其位于所述磁性层上方，其中所述磁性层的所述第一端和所述第二端从所述MTJ单元的侧壁侧向突出，且所述MTJ单元位于所述磁性层的所述第一端与所述第二端之间，且所述MTJ单元包含：自由层；阻障层，其位于所述自由层上方；和参考层，其位于所述阻障层上方；非磁性导电层，其位于所述磁性层与所述MTJ单元之间；和顶部电极，其位于所述MTJ单元上方，所述顶部电极与所述第三端子物理接触。
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