[发明专利]金属化层及其制造方法有效
| 申请号： | 201810926968.5 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109411409B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·V·利考西;埃罗尔·特德·莱恩;林萱 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属化层及其制造方法，揭示集成电路的金属化层的结构及其相关制造方法。具有形成一金属线的一第一金属化层。一第二金属化层形成于该第一金属化层的上方，具有二金属化线以及从该二金属化线延伸至该第一金属化层的该金属化线的二导电通孔。该第一金属化线被分割为一第一区段以及与该第一部分断开的一第二区段，使得该第一区段通过一导电通孔连接至该第二金属化层中的一金属线，该第二区段通过另一导电通孔连接至该第二层中的另一金属化线。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：形成具有第一金属化线的第一金属化层；形成第二金属化层于该第一金属化层的上方，该第二金属化层具有介电层、第二金属化线、第三金属化线、从该第二金属化线延伸通过该介电层至该第一金属化线的第一导电通孔、以及从该第三金属化线通过该介电层至该第一金属化线的第二导电通孔；以及在形成该第二金属化层之后，将该第一金属化线分割为第一区段以及与该第一区段断开的第二区段，其中，该第一金属化线的该第一区段通过该第一导电通孔连接至该第二金属化线，该第一金属化线的该第二区段由该第二导电通孔连接至该第三金属化线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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