[发明专利]用于通孔的CDSEM检测的对准标记及其制造方法有效
| 申请号： | 201810927274.3 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109273432B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 邓国贵 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记，包括：形成于半导体衬底上第一金属层，在第一金属层上形成有金属对准标记，金属对准标记由对第一金属层进行刻蚀形成的金属线组成；金属线和第一金属层连接，长度边外侧为沟槽；在第一金属层的表面形成有第一层间膜，在第一层间膜的表面形成有由光阻经过曝光和显影形成的光阻图形，光阻图形中形成有光阻通孔和通孔对准标记；通孔对准标记包括多个且形成于金属对准标记的金属线的正上方。本发明还公开了一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记的制造方法。本发明能防止在SEM的对准标记中产生电子积累并消除由电子积累而产生的对准失败的缺陷，能提高、测量的可靠性和提高产量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cdsem 检测 对准 标记 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于，包括：第一金属层，所述第一金属层形成于半导体衬底上；在所述第一金属层上形成有金属对准标记，所述金属对准标记由对所述第一金属层进行刻蚀形成的金属线组成，所述金属线的两条宽度边和所述第一金属层连接，所述金属线的两条长度边外侧形成有由对所述第一金属层刻蚀后形成沟槽；在所述第一金属层的表面形成有第一层间膜，所述第一层间膜还将所述沟槽填充；在所述第一层间膜的表面形成有由光阻经过曝光和显影形成的光阻图形，所述光阻图形中形成有将通孔区域打开的光阻通孔，所述光阻图形中还形成有通孔对准标记，所述光阻通孔和所述通孔对准标记中的光阻都被显影去除；所述通孔对准标记包括多个且形成于所述金属对准标记的金属线的正上方；在所述光阻的显影完成后的去离子水冲洗工艺会在所述通孔对准标记的底部产生电子，所述去离子水冲洗工艺在所述通孔对准标记底部产生的电子会通过所述金属线传导到所述第一金属层上并去除，避免在所述通孔对准标记的底部产生电子积聚，从而消除电子积聚使CDSEM无法对准的缺陷。
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