[发明专利]单衬底上包括三层光刻材料的晶圆及其表面颗粒监测方法在审
| 申请号： | 201810927323.3 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109143784A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 成智国;杨正凯 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单衬底上包括三层光刻材料的晶圆，涉及半导体集成电路制造技术，包括：衬底；涂覆于所述衬底上的旋涂的碳，形成第一层光刻材料；涂覆于所述旋涂的碳上的抗反射涂层，形成第二层光刻材料；以及涂覆于所述抗反射涂层上的光刻胶，形成第三层光刻材料，以能在一片晶圆上完成监测三种光阻的工艺性能，更加快速、有效的监控了涂胶工艺的稳定性，且衬底可以重复利用，因此极大地节省了晶圆的使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻材料 衬底 晶圆 涂覆 抗反射涂层 三层 旋涂 半导体集成电路制造 表面颗粒 涂胶工艺 重复利用 第三层 第一层 光刻胶 监测 光阻 监控 | ||
【主权项】：
1.一种单衬底上包括三层光刻材料的晶圆，其特征在于，包括：衬底；涂覆于所述衬底上的旋涂的碳，形成第一层光刻材料；涂覆于所述旋涂的碳上的抗反射涂层，形成第二层光刻材料；以及涂覆于所述抗反射涂层上的光刻胶，形成第三层光刻材料。
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