[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810928324.X | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148291A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市诚朗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/735 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管及其制造方法，一种晶体管，包括第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一外延层，生长在所述衬底的第一表面；第一导电类型基区，贯穿所述第一外延层且一端与所述衬底相连接；及发射区，所述发射区包括第二外延层以及形成于第二外延层内部的一个或多个发射层；所述一个或多个发射层左右贯穿所述第二外延层，若所述发射层为多个，则多个发射层上下间隔分布于所述第二外延层，所述发射层的掺杂浓度高于所述第二外延层。本发明涉及的晶体管工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 发射层 晶体管 衬底 第一导电类型 发射区 晶体管工艺 导电类型 第一表面 上下间隔 贯穿 基区 掺杂 生长 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面生长第二导电类型的第一外延层；在所述第一外延层内形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述第一外延层且一端与所述衬底相连接；在所述第一外延层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙形成于所述第一沟槽内且一端接触于所述衬底；在所述第一沟槽内形成第二导电类型的第二外延层；在所述第二外延层的内部形成有一个或多个第二导电类型的发射层，以使所述第二外延层形成发射区；所述一个或多个发射层左右贯穿所述第二外延层，若所述发射层为多个，则所述多个发射层上下间隔分布于所述第二外延层，所述发射层的掺杂浓度高于所述第二外延层；去除所述侧墙，形成所述第二沟槽，在所述第二沟槽内形成第一导电类型的基区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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