[发明专利]垂直堆叠晶圆及其形成方法有效
| 申请号： | 201810929331.1 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109411443B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 卢克·G·英格兰 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及垂直堆叠晶圆及其形成方法，揭示集成电路堆叠及其形成方法。在一个实施例中，该集成电路堆叠可包括：多个垂直堆叠晶圆，各晶圆包括后侧及前侧，各晶圆的该后侧包括位于衬底内的半导体穿孔(TSV)，且各晶圆的该前侧包括位于第一介电质内的金属线，其中，该金属线与各晶圆内的该TSV连接；以及无机介电质，介于该多个垂直堆叠晶圆内的相邻晶圆之间；其中，该多个垂直堆叠晶圆以前对后取向堆叠，以使一个晶圆的该后侧上的该TSV与相邻晶圆的该前侧上的该金属线通过延伸穿过介于它们之间的该无机介电质电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 堆叠 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路堆叠，包括：第一晶圆，以前对后取向附着至第二晶圆，其中，各晶圆包括后侧及前侧，各晶圆的该后侧包括位于衬底内的半导体穿孔(TSV)，且各晶圆的该前侧包括位于第一介电质内的金属线，其中，该金属线与各相应晶圆内的该TSV连接；以及第二介电质，介于该第一晶圆的该衬底与该第二晶圆的该第一介电质之间，其中，该第一晶圆的该TSV自该第一晶圆的该衬底延伸穿过该第二介电质并与该第二晶圆的该第一介电质内的该金属线电性连接。
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