[发明专利]复合接触蚀刻停止层有效
| 申请号： | 201810929762.8 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109411537B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 黄海苟;丹尼尔·杰格;吴旭昇;高金晟 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及复合接触蚀刻停止层，其中，一复合蚀刻停止层包括形成于一牺牲栅极结构上方的一氧化物层以及形成于该氧化物层上方的一氮化物层。该氧化物层仅设于该牺牲栅极结构的较低部分的上方，而该氮化物层包封该氧化物层，并直接设于该牺牲栅极结构的一顶表面的上方。例如，于该复合蚀刻停止层的上方形成一层间介电质的期间，氮化物层对氧化的敏感性，通过于该牺牲栅极层的上部消除该氧化物层而降低。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 接触 蚀刻 停止 | ||
【主权项】：
1.一种制造装置的方法，其特征在于，包括：形成一牺牲栅极结构于一半导体基板的上方，其中，该牺牲栅极结构包括一牺牲栅极以及形成于该牺牲栅极的一顶表面的上方的一牺牲栅极间隙；形成一侧壁间隔层于该牺牲栅极结构的侧壁上方；形成一第一蚀刻停止层于横向邻接该牺牲栅极的该侧壁间隔层的上方；以及形成一第二蚀刻停止层于该第一蚀刻停止层的上方以及直接位于该牺牲栅极帽的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司，未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810929762.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
