[发明专利]一种集成混沌激光器芯片及激光器有效

专利信息
申请号: 201810930560.5 申请日: 2018-08-15
公开(公告)号: CN109167250B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 刘成刚;徐红春;张明江;丁深;乔丽君;陈奔;张建忠;周日凯;孟杰;汪钦 申请(专利权)人: 武汉光迅科技股份有限公司
主分类号: H01S5/06 分类号: H01S5/06;H01S5/12;H01S5/40;H01S5/50
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹;吴欢燕
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明实施例提供一种集成混沌激光器芯片及激光器。所述激光器芯片包括:第一激光器组件和第二激光器组件,所述第一激光器组件与所述第二激光器组件,均为分布式反馈激光器DFB与半导体放大器SOA的集成芯片;其中,所述第一激光器组件包括左侧DFB区和右侧SOA区,所述第二激光器组件包括左侧SOA区和右侧DFB区;第一激光器组件的右侧SOA区的右端面镀有低反膜,所述第二激光器组件的左侧SOA区的左端面镀有高反膜;所述第一激光器组件与所述第二激光器组件通过所述低反膜和所述高反膜连接为一体。所述激光器芯片结构简单,操作容易,利用折射率匹配胶直接光耦合,大大提升耦合效率。
搜索关键词: 激光器组件 混沌激光器 激光器芯片 激光器 高反膜 分布式反馈激光器 半导体放大器 折射率匹配胶 芯片 连接为一体 集成芯片 耦合效率 右端面 直接光 左端面 耦合
【主权项】:
1.一种集成混沌激光器芯片,其特征在于,包括:第一激光器组件和第二激光器组件,所述第一激光器组件与所述第二激光器组件,均为分布式反馈激光器DFB与半导体放大器SOA的集成芯片;其中,所述第一激光器组件包括左侧DFB区和右侧SOA区,所述第二激光器组件包括左侧SOA区和右侧DFB区;第一激光器组件的右侧SOA区的右端面镀有低反膜,所述第二激光器组件的左侧SOA区的左端面镀有高反膜;所述第一激光器组件与所述第二激光器组件通过所述低反膜和所述高反膜连接为一体。
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