[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810932053.5 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109309150B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，电子提供层、有源层和空穴提供层依次层叠在衬底上，电子提供层包括N型氮化镓层以及插入在N型氮化镓层中的至少一个P型氮化镓层，N型氮化镓层的厚度大于电子提供层的厚度的1/2。本发明通过在N型氮化镓层中插入至少一个P型氮化镓层形成电子提供层，P型氮化镓层和N型氮化镓层形成PN结，P型氮化镓层和N型氮化镓层变成空间电荷区，空间电荷区内存在可以横向移动的自由电荷，可以提升电子的横向扩展能力，增加电子提供层中电流的扩展与传输，降低电子提供层的体电阻，进而降低芯片的正向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子提供层包括N型氮化镓层以及插入在所述N型氮化镓层中的至少一个P型氮化镓层，所述N型氮化镓层的厚度大于所述电子提供层的厚度的1/2。
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