[发明专利]磁性结、磁性存储器和提供磁性结的方法有效
| 申请号： | 201810933078.7 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109427963B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李东康;冯艮;伊赫提尔;穆罕默德·扎菲克·克鲁宾;唐雪缇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了磁性结、使用磁性结的存储器和用于提供磁性结的方法。磁性结驻留在基板上，并且在磁性器件中能够使用。磁性结包括参考层、非磁性间隔物层和与自由层相邻的含M氧化物层。M包括Ti、Al、Hf、Zr、Mo、V和Nb中的至少一种。当写电流通过磁性结时，自由层可在多个稳定磁性状态之间切换。非磁性间隔物层在参考层于自由层之间。自由层在非磁性间隔物层与含M氧化物层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 提供 方法 | ||
【主权项】：
1.一种驻留在基板上并在磁性器件中能够使用的磁性结，所述磁性结包括：参考层；自由层，当写电流通过所述磁性结时，所述自由层能够在多个稳定磁状态之间切换；非磁性间隔物层，所述非磁性间隔物层驻留在所述参考层与所述自由层之间；以及与自由层相邻的含M氧化物层，M包括Ti、Al、Hf、Zr、Mo、V和Nb中的至少一种，所述自由层在所述非磁性间隔物层与所述含M氧化物层之间。
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