[发明专利]一种低功耗高增益值的反相器及其制备方法在审
申请号: | 201810935366.6 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN109300934A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 陆旭兵;赖伟升;严龙森 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28 |
代理公司: | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人: | 吴静芝 |
地址: | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种低功耗高增益值的反相器及其制备方法,该反相器包括衬底以及设置在所述衬底上的底电极,覆盖所述衬底和底电极的绝缘层、覆盖所述绝缘层上的修饰层、设置在所述修饰层上的有缘层和顶电极;所述有缘层包括相互分离的PTCDI‑C8薄膜和并五苯薄膜。本发明以PTCDI‑C8薄膜作为n型有源层,以并五苯薄膜作为p型有源层,通过两种电学性能相匹配的N型与P型晶体管的互补作用来降低反相器的功耗并提高其增益值及转换速率。 | ||
搜索关键词: | 反相器 衬底 绝缘层 并五苯薄膜 低功耗 底电极 高增益 修饰层 制备 薄膜 电学性能 互补作用 顶电极 覆盖 功耗 匹配 转换 | ||
【主权项】:
1.一种低功耗高增益值的反相器,其特征在于:包括衬底、第一底电极、第二底电极、绝缘层、修饰层、有源层和顶电极;所述第一底电极和第二底电极设置在所述衬底上并相互分离;所述绝缘层覆盖所述衬底、第一底电极和第二底电极上表面;所述修饰层设置在所述绝缘层上表面;所述有源层包括相互分离的PTCDI‑C8薄膜和并五苯薄膜,所述PTCDI‑C8薄膜设置在所述修饰层表面并与所述第一底电极相对,所述并五苯薄膜设置在所述修饰层表面并与所述第二底电极相对;所述顶电极设置在所述修饰层表面同时覆盖部分覆盖所述PTCDI‑C8薄膜和并五苯薄膜上表面,并穿过所述修饰层和绝缘层与第一底电极、第二底电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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