[发明专利]一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810936392.0 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109038220A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;曲轶;彭鸿雁 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法是一种发光波长在1.3微米波段的InGaAs量子点结构及其材料制备方法，属于半导体材料制造技术领域。采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1‑xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20~60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490~510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5~1.5ML。该方法制备出1.3微米波段InGaAs量子点材料，具有良好的量子点尺寸均匀性，易于控制，工艺稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 制备 量子点结构 量子点层 微米波段 长波长 过渡层 半导体材料 尺寸均匀性 量子点材料 材料制备 发光波长 工艺稳定 外延技术 温度提升 覆盖层 量子点 势垒层 外延层 应变层 衬底 相隔 制造 | ||
【主权项】：
1.一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法，其特征在于，采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1‑xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔30~60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490~510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5~1.5ML；在GaAs覆盖层上重复InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层，获得两重阵列量子点材料，重复9次，获得十重阵列量子点材料，InxGa1‑xAs应变层中的In组分含量为0.05≤x≤0.15。
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