[发明专利]基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器及制备方法有效
| 申请号： | 201810937133.X | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109031497B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陶金;武霖;郑国兴;刘子晨;尤全;邱英 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02B1/00 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 邱云雷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器及制备方法，起偏器包括透明的衬底和硅纳米砖阵列，硅纳米砖阵列包括分布在衬底上的多个朝向相同的硅纳米砖，硅纳米砖阵列由N个阵列单元组成，N≥3；同一阵列单元内的硅纳米砖几何参数相同，不同的阵列单元内的硅纳米砖几何参数不同；以硅纳米砖的长、宽和高分别为X、Y和Z轴建立坐标系，线偏振光通过硅纳米砖后在X、Y轴方向上的相位分别为phix和phiy，硅纳米砖的几何参数使得│phix‑phiy│＝90°，且沿顺时针或逆时针方向，位于不同的阵列单元的phix从0到360°呈等差数列，公差为360°/N。本发明提供的起偏器，集成度高，结构紧凑，将线偏振光转换为圆偏振涡旋光。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 阵列 偏振 涡旋 光起偏器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器，其特征在于，其包括：透明的衬底(1)；硅纳米砖阵列，其包括分布在所述衬底(1)上的多个朝向相同的硅纳米砖(2)，所述硅纳米砖阵列内设有多条经过其中心点的分隔线，位于相邻两条所述分隔线之间的硅纳米砖(2)组成一个阵列单元(3)，所述分隔线将所述硅纳米砖阵列分隔成N个阵列单元(3)，N≥3；同一所述阵列单元(3)内的硅纳米砖(2)几何参数相同，不同的所述阵列单元(3)内的硅纳米砖(2)几何参数不同；以所述硅纳米砖(2)的长、宽和高分别为X、Y和Z轴建立坐标系，线偏振光通过所述硅纳米砖(2)后在X、Y轴方向上的相位分别为phix和phiy，所述硅纳米砖(2)的几何参数使得│phix‑phiy│＝90°，且沿顺时针或逆时针方向，位于不同的所述阵列单元(3)的phix从0到360°呈等差数列，公差为360°/N，所述几何参数包括所述硅纳米砖(2)的长、宽、高和周期尺寸。
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