[发明专利]改善电容器制作中电弧放电缺陷的方法和电容器在审
| 申请号： | 201810938609.1 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109065521A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王晓云;杜正宽;范宇平 | 申请（专利权）人： | 安徽信息工程学院 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 张苗 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开改善MIM电容器制作中电弧放电缺陷的方法和电容器，包括：1，在半导体基底(1)上设置有金属间介质层(2)，在金属间介质层(2)的上表面设置有通孔和光刻对准标记沟槽，并在通孔的上表面和光刻对准标记等沟槽的上表面预填有导电层(4)；2，将下电极板金属层包覆于半导体基底(1)的上表面和导电层(4)的上表面，并在下电极板金属层的上表面形成光刻对位标记填充层(6)，光刻对位标记填充层(6)能够充分填满光刻对位标记沟槽；3，平坦化除光刻对位标记沟槽之外的光刻对位标记填充层(6)直至下电极板金属层的顶部。本发明克服了现有技术中的MIM电容器过程中产生的的电弧放电缺陷，避免了电弧放电。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 光刻对位标记 电弧放电 电容器 金属层 填充层 光刻对准标记 金属间介质层 半导体基底 下电极板 导电层 通孔 电极板 包覆 填满 制作 平坦 | ||
【主权项】：
1.一种改善电容器制作中电弧放电缺陷的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1，在半导体基底(1)上设置有金属间介质层(2)，在所述金属间介质层(2)的上表面设置有通孔和光刻对准标记沟槽，并在通孔的上表面和光刻对准标记等沟槽的上表面预填有导电层(4)；步骤2，将下电极板金属层包覆于半导体基底(1)的上表面和导电层(4)的上表面，并在所述下电极板金属层的上表面形成光刻对位标记填充层(6)，所述光刻对位标记填充层(6)能够充分填满光刻对位标记沟槽；步骤3，平坦化除光刻对位标记沟槽之外的光刻对位标记填充层(6)直至下电极板金属层的顶部；步骤4，在所述下电极板金属层的上表面和光刻对位标记填充层(6)的上表面形成介质层(7)，在所述介质层(7)的上表面形成有上电极板金属层。
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