[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统

摘要

本发明提供场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。所述场效应晶体管包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。

主权项

1.场效应晶体管，包括：基底；保护层；在所述基底和所述保护层之间形成的栅绝缘层；与所述栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；半导体层，其至少在所述源电极和所述漏电极之间形成，且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触；和栅电极，所述栅电极在与其中设置所述半导体层的侧相反的侧上形成，其中所述栅绝缘层在所述栅电极和所述半导体层之间，且所述栅电极与所述栅绝缘层接触，其中所述保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。