[发明专利]一种激光烧结制备Tb:Lu2

摘要

本发明公开了一种激光烧结制备Tb:Lu2O3陶瓷的方法，具体是：按照化学结构式(Lu1‑xTbx)2O3中各元素的化学计量比分别称取反应原料粉体，在混合好的原料中加入柠檬酸和乙二醇并且搅拌均匀以获得前驱体；然后将前驱粉体加热处理，研磨，分阶段煅烧；在煅烧后的粉体中加入粘合剂聚乙烯醇溶液并且采用干压成型的方法将其制备成圆片状，得到素胚片；将素胚片放置在一个Lu2O3垫片上，用激光器对其进行双面烧结；最后进行研磨抛光处理，得到Tb:Lu2O3陶瓷。本发明提供的方法可以有效抑制Tb3+离子向Tb4+离子转变，提高了陶瓷内部Tb3+离子的含量，在323nm紫外光的激发下，可实现高强度的绿光发射，制备工艺简单，节能环保，制得的陶瓷样品相对密度达99.9％，透过率高，致密性好。

主权项

1.一种激光烧结制备Tb:Lu2O3陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤(1)按照化学结构式(Lu1‑xTbx)2O3中各元素的化学计量比分别称取含有镥离子Lu3+的化合物和含有铽离子Tb3+的化合物粉体作为反应原料，其中x为Tb3+掺杂Lu3+位的摩尔百分数，0.001≤x≤0.02；(2)在混合好的原料粉体中加入柠檬酸和乙二醇溶液，并搅拌均匀，得到前驱体溶液，其中，金属离子和柠檬酸的摩尔比为0.2～0.5，柠檬酸和乙二醇质量比为1～2；(3)将前驱体溶液在70～80℃条件下进行热处理，去除多余的水分，冷却至室温，研磨，得到前驱体粉末；然后将研磨后的前驱体粉末置于500～800℃条件下预煅烧5～7h，去除多余的有机物，再将预煅烧后的前驱体粉末置于800～1200℃条件下煅烧1～3h；(4)在煅烧后的粉体中加入粘合剂聚乙烯醇溶液进行塑化，采用干压法将其压制成圆片状，得到素胚片，其中聚乙烯醇溶液加入量为压片粉体质量的1.0～7.0％；(5)将素胚片放置在一个Lu2O3垫片上，用激光器对素胚片两面同时进行烧结，得到陶瓷素胚；(6)将烧结后的陶瓷素胚进行研磨抛光至1～3mm，得到Tb:Lu2O3透明陶瓷。