[发明专利]高压元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810939369.7 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110838513B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件包含：半导体层、绝缘结构、第一深阱区、第二深阱区、漂移阱区、第一阱区、第二阱区、本体区、本体极、高压阱区、栅极以及源极与漏极。其中，高压阱区形成于第二深阱区中，且不接触第一深阱区、第一阱区与第二阱区，且至少部分高压阱区位于所有漂移区正下方，而抑制寄生晶体管闩锁。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立锜科技股份有限公司，未经立锜科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810939369.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
