[发明专利]集成电路制造方法及其制造系统在审
| 申请号： | 201810939965.5 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109582995A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 黄旭霆;周自翔;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种集成电路制造方法，包括建立一掩模模型以及一复合光刻计算(compound lithography computational,CLC)模型，上述掩模模型用以模拟一掩模图像，上述复合光刻计算模型用以模拟一晶圆图案；使用一测量的掩模图像校正上述掩模模型；使用一测量的晶圆数据及校正后的上述掩模模型校正上述复合光刻计算模型；以及使用校正后的上述复合光刻计算模型对一集成电路图案执行一光学邻近校正(OPC)程序，从而产生用于掩模工艺的一掩模图案。 | ||
| 搜索关键词： | 复合光 掩模 计算模型 校正 集成电路制造 掩模图像 测量 光学邻近校正 集成电路图案 晶圆图案 模型校正 掩模工艺 掩模图案 制造系统 晶圆 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路制造方法，包括：建立一掩模模型以及一复合光刻计算模型，上述掩模模型用以模拟一掩模图像，上述复合光刻计算模型用以模拟一晶圆图案；使用一测量的掩模图像校正上述掩模模型；使用一测量的晶圆数据及校正后的上述掩模模型校正上述复合光刻计算模型；以及使用校正后的上述复合光刻计算模型对一集成电路图案执行一光学邻近校正(OPC)程序，从而产生用于一掩模工艺的一掩模图案。
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