[发明专利]一种基于标准CMOS工艺的芯片级光谱检测器件在审
| 申请号： | 201810940061.4 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109187375A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王红义;范柚攸;张志诚 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种基于标准CMOS工艺的芯片级光谱检测器件，包括利用标准CMOS集成电路工艺集成的光谱检测芯片本体，该光谱检测器件具有体积小、重量轻、成本低等优点；而且，该器件可以和大规模集成电路完美兼容，便于后续信号的采样、处理和传输；光谱检测芯片本体包括入射光准直衍射模块和光强度感应模块，光强感应模块设置在入射光准直衍射模块的底部，用于接收通过入射光准直衍射模块衍射后的入射光；其中，入射光准直衍射模块包括m个平行排列的光学微腔体，光学微腔体的顶部形成有双层狭缝；通过不同的场强分布信息区分入射光的波长信息，从而实现光谱分析功能。 | ||
| 搜索关键词： | 入射光 光谱检测 衍射 准直 标准CMOS工艺 光学微腔 芯片本体 芯片级 大规模集成电路 光强感应模块 集成电路工艺 光强度感应 标准CMOS 波长信息 场强分布 光谱分析 后续信号 双层狭缝 体积小 重量轻 采样 兼容 传输 | ||
【主权项】：
1.一种基于标准CMOS工艺的芯片级光谱检测器件，其特征在于，包括利用标准CMOS集成电路工艺集成的光谱检测芯片本体，光谱检测芯片本体包括入射光准直衍射模块和光强度感应模块，光强感应模块设置在入射光准直衍射模块的底部，用于接收通过入射光准直衍射模块衍射后的入射光；其中，入射光准直衍射模块包括m个并行排列的光学微腔体，每个光学微腔体的顶部形成有双层狭缝(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810940061.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
