[发明专利]一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法有效
| 申请号： | 201810940068.6 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110838335B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 洪杰;马思博 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法。该Nand型快闪存储器包括存储单元和感测放大器，感测放大器的高压管的第一端和预充电电容的第一端电连接，高压管的第二端以及存储单元的第一端与位线电连接，预充电电容的第二端接地，存储单元的第二端与源极线电连接。Nand型快闪存储器的漏电测试方法包括：在Nand型快闪存储器的擦除验证阶段，比较高压管的第一端的稳定电压与参考电压的大小；根据比较结果判断高压管是否漏电。本发明通过复用擦除验证过程进行高压管漏电测试，使高压管两端加载的电压差比较大，可以有效地检测感测放大器中的高压管的漏电情况，从而提高了Nand型快闪存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 漏电 测试 方法 | ||
【主权项】：
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