[发明专利]一种浮栅存储器的制备方法和浮栅存储器

摘要

本发明公开了一种浮栅存储器的制备方法和浮栅存储器，该制备方法，包括：提供第一制备结构，第一制备结构包括半导体衬底、设置于半导体衬底一侧的隧穿氧化层、设置于隧穿氧化层远离半导体衬底一侧的第一多晶硅层和多个填充有第一氧化物的第一沟槽，第一多晶硅层被第一沟槽分隔成多段第一子多晶硅层，第一氧化物与第一多晶硅层齐平；刻蚀掉部分第一多晶硅层，以凸出第一氧化物；在第一氧化物及剩余的第一多晶硅层暴露出的表面形成氮化硅层；采用自对准工艺在第一子多晶硅层中形成第二凹槽，使得第一多晶硅层的表面积增大，增加浮栅存储器的耦合率，提高擦写速度；并且，使得第一子多晶硅层中第二凹槽具有较高的一致性，并且降低制造成本。