[发明专利]垂直金字塔结构LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201810940241.2 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109166948B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王军喜;张翔;魏同波;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直金字塔结构LED及其制备方法，属于半导体技术领域。该垂直金字塔结构LED包括：衬底和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，其中，外延层包括介质层和金字塔结构，所述介质层沉积在衬底上，具有开设至衬底的周期性孔洞结构的图形化掩膜；所述金字塔结构为填满所述孔洞结构并继续生长形成金字塔式结构。本发明直接在新型衬底上开孔选区外延生长GaN基垂直金字塔LED，不需要生长氮化物薄膜层、不需要衬底剥离、发光层转移、二次键和的简单垂直金字塔结构技术路线，将大幅提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 金字塔结构 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直金字塔结构LED，其特征在于，包括：衬底(1)和外延层，所述外延层位于所述衬底(1)之上，其中，所述外延层包括介质层(2)和金字塔结构(3)，所述介质层沉积在衬底(1)上，具有开设至衬底的周期性孔洞结构的图形化掩膜；所述金字塔结构(3)为填满所述孔洞结构并继续生长形成金字塔式的结构。
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