[发明专利]一种全硅环境隔离MEMS器件有效
| 申请号： | 201810940684.1 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109292726B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 何凯旋;郑宇;王鹏;喻磊;陈璞;王新龙 | 申请（专利权）人： | 北方电子研究院安徽有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种全硅环境隔离MEMS器件，包括隔离硅片,隔离硅片上方依次设有形成配合的衬底SOI硅片、敏感结构硅片与硅盖帽，隔离硅片、衬底SOI硅片与敏感结构硅片相互之间晶圆级硅硅直接键合；隔离硅片的中部蚀刻有加热电阻图形，使隔离硅片中部形成加热电阻；隔离硅片的四周蚀刻有悬臂梁图形，使隔离硅片四周形成悬臂梁；敏感结构硅片上制备有MEMS敏感可动结构，敏感结构硅片上还蚀刻有温度传感电阻；硅盖帽顶面集成有MEMS结构处理电路与温度控制电路；温度传感电阻采集加热电阻的温度，并将温度反馈给温度控制电路，温度控制电路根据温度传感电阻反馈的温度对加热电阻进行闭环加热控制；整个器件可实现高性能指标，极大提高了环境适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环境 隔离 mems 器件 | ||
【主权项】：
1.一种全硅环境隔离MEMS器件，其特征在于，包括隔离硅片,隔离硅片上方依次设有形成配合的衬底SOI硅片、敏感结构硅片与硅盖帽，隔离硅片、衬底SOI硅片与敏感结构硅片相互之间晶圆级硅硅直接键合；所述隔离硅片的中部蚀刻有加热电阻图形，使隔离硅片中部形成加热电阻；加热电阻两端设有压焊点；隔离硅片的四周蚀刻有悬臂梁图形，使隔离硅片四周形成悬臂梁；敏感结构硅片上制备有MEMS敏感可动结构，敏感结构硅片上还蚀刻有温度传感电阻；硅盖帽顶面集成有MEMS结构处理电路与温度控制电路；MEMS结构处理电路用于控制MEMS器件工作；温度控制电路分别与加热电阻及温度传感电阻相键合，温度传感电阻采集MEMS器件结构的温度，并将温度反馈给温度控制电路，温度控制电路根据温度传感电阻反馈的温度对加热电阻进行闭环加热控制。
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