[发明专利]检查方法

摘要

本公开部分实施例提供一种当道工艺检查方法。上述检查方法包括沿着两个相反方向，形成多个测试结构在一半导体晶圆上。每一测试结构包括一目标特征以及形成在目标特征上方的一样本特征。沿着上述两个相反方向，测试结构内的目标特征与样本特征间的偏移距离逐渐增加。上述检查方法也包括通过施加一电子束在测试结构上，以产生测试结构的一影像。上述检查方法还包括对影像执行一影像分析，以识别一现在中央位置，现在中央位置呈现有一最小的灰阶值或具有一最大的灰阶值。并且，上述检查方法包括根据现在中央位置计算一重叠误差。

主权项

1.一种检查方法，适用于半导体制造过程中，该检查方法包括：沿着两个相反方向，形成多个测试结构在一半导体晶圆上，其中所述多个测试结构中的每一个包括一目标特征以及形成在该目标特征上方的一样本特征，其中在每一测试结构中，该样本特征以及该目标特征间具有一偏移距离，沿着该两个相反方向，所述多个测试结构中的多个所述偏移距离逐渐增加；通过施加一电子束在所述多个测试结构上，以产生所述多个测试结构的一影像；对该影像执行一影像分析，以识别一现在中央位置，该现在中央位置呈一最小的灰阶值或一最大的灰阶值；以及根据该现在中央位置计算一重叠误差。