[发明专利]氟碳/钯/镁-五氧化二铌气致调光薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氟碳/钯/镁‑五氧化二铌的气致调光薄膜及其制备方法，所述薄膜包括依次设置在基底上的镁‑五氧化二铌复合膜层，钯催化层和氟碳疏水层。其制备方法为先在基底上生长镁‑五氧化二铌复合膜层，再于此膜层上原位生长钯催化层，最后在膜层外围沉积氟碳疏水层。本发明利用钯的催化效应，在吸氢和脱氢阶段，促进氢气与氢原子之间的可逆转换，添加五氧化二铌以加速氢原子在镁基体中的扩散，加快镁氢化物的形成与分解，以使薄膜可在反射态和透明态之间反复切换。氟碳膜可有效抵御外界环境对内层薄膜的腐蚀。整个反应过程在室温下即可实现。该调光薄膜耐候性好，响应、恢复时间短，工艺简单，在智能玻璃领域具有重要的应用前景。

主权项

1.一种氟碳/钯/镁‑五氧化二铌的气致调光薄膜的制备方法，其特征在于，包括采用直流和射频磁控溅射共同作用的方法在基底上生长镁‑五氧化二铌复合膜层，然后在镁‑五氧化二铌复合膜层上采用直流磁控溅射法制备钯催化层，最后在钯催化层表面采用等离子体气相沉积法制备氟碳膜的步骤；所得氟碳/钯/镁‑五氧化二铌的气致调光薄膜包括依次设置在基底上的镁‑五氧化二铌复合膜层、钯催化层和氟碳膜层；所述方法具体包括以下步骤：S1、用配制的清洗液浸泡基底，然后用去离子水冲洗基底；S2、将清洗好的基底放入磁控溅射反应室，开启抽真空系统进行抽真空；S3、加热基底，通入工作气体A，并维持压强，待气压稳定后，开启钯、镁和五氧化二铌靶的电源，关闭靶材前的挡板，预溅射清洗靶材；S4、预溅射完毕后，开启镁和五氧化二铌靶的挡板，载入共溅射工艺程序，沉积镁‑五氧化二铌复合膜层；S5、经步骤S4沉积完毕后，在真空度保持不变的情况下，载入钯催化层的溅射工艺程序，再开始沉积钯催化剂；S6、经步骤S5沉积完毕后，关闭所有靶材的电源，继续用工作气体A吹洗样品，然后停止通入工作气体A，取出样品；S7、将取出的样品放入反应离子式气相沉积机的反应室内，通入工作气体B，载入相应的工艺程序，在钯催化层表面沉积氟碳膜；沉积完毕后，取出样品，即得氟碳/钯/镁‑五氧化二铌的气致调光薄膜。