[发明专利]化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201810941688.1 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN108977888A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 野田朗;太田优;平野立一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/42;C30B15/00;H01L31/0304;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈巍;鲁炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III‑V族化合物半导体单晶的制造方法。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×1017cm‑3以上且3×1018cm‑3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm‑2的化合物半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 密封剂 熔融液 化合物半导体 晶片 光电转换元件 半导体单晶 晶种 熔解 耐热性 浸渍 晶种生长 控制容器 硬化效果 大型的 单晶 提拉 填充 位错 加热 制造 升高 覆盖 表现 | ||
【主权项】：
1.化合物半导体晶片，其特征在于，其由含有锌作为杂质的磷化铟单晶组成，主面形成为直径2英寸以上的圆形，单晶中的锌的平均浓度为9.22×1017cm‑3以上且3×1018cm‑3以下，平均位错密度为1000cm‑2以下。
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