[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810941798.8 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110265073B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 金雄来;郭明均;李泰龙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/12 | 分类号： | G11C8/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括存储体组选择信号发生电路和存储体组地址发生电路。存储体组选择信号发生电路基于被产生为执行读取操作或写入操作的命令脉冲来储存存储体地址。存储体组选择信号发生电路将所储存的存储体地址输出为存储体组选择信号。存储体组地址发生电路产生存储体组地址和内部存储体组地址，用于执行包括在基于存储体组选择信号而选中的存储体组中的单元阵列的列操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：存储体组选择信号发生电路，其被配置为基于被产生用于执行读取操作或写入操作的命令脉冲来储存存储体地址，并且被配置为在与所述存储体地址被储存的时刻不同的时刻处将所储存的存储体地址输出为存储体组选择信号；以及存储体组地址发生电路，其被配置为产生存储体组地址和内部存储体组地址，用于执行单元阵列的列操作，其中所述单元阵列被包括在基于所述存储体组选择信号而选中的存储体组中。
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