[发明专利]片上存储器测试电路及方法在审

专利信息
申请号: 201810942306.7 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN109065093A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 陈朝杰;袁志坚 申请(专利权)人: 豪威科技(上海)有限公司
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G11C29/42
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种片上存储器测试电路及方法,内嵌自测试电路由EDA工具对RTL代码内的片上存储器插入形成,并产生测试向量;TAP控制器由所述内嵌自测试电路形成时对应生成,在量产时,外部测试设备通过JTAG接口与所述TAP控制器通信;EDA工具设定硬件总线宽度,利用第一脚本将测试向量转换为第一测试指令,将第一测试指令封装,进行编码并转换为以字节为单位的二进制指令流,二进制指令流产生对应的ECC校验码,并将二进制指令流存入片外Flash中;测试指令转换电路从片外Flash中取回二进制指令流,并解析二进制指令流,并将二进制指令流通过中央处理器接口传递给TAP控制器;TAP控制器接收到二进制指令流后,配置内嵌自测试电路开启测试功能。
搜索关键词: 二进制指令 片上存储器 自测试电路 测试指令 内嵌 测试电路 中央处理器接口 测试向量转换 外部测试设备 测试功能 测试向量 硬件总线 转换电路 脚本 量产 取回 封装 解析 传递 转换 配置 通信
【主权项】:
1.一种片上存储器测试电路,其特征在于,所述片上存储器测试电路包括内嵌自测试电路、TAP控制器、测试指令转换电路和片外Flash,其中:所述内嵌自测试电路由EDA工具对RTL代码内的片上存储器插入形成,并产生测试向量;所述TAP控制器由所述内嵌自测试电路形成时对应生成,在量产时,外部测试设备通过JTAG接口与所述TAP控制器通信,并对所述内嵌自测试电路进行配置,选择开启单个或多个所述内嵌自测试电路对所述片上存储器进行测试;所述EDA工具设定硬件总线宽度,利用第一脚本将所述测试向量转换为第一测试指令,将所述第一测试指令封装,进行编码并转换为以字节为单位的二进制指令流,所述二进制指令流产生对应的ECC校验码,并将所述二进制指令流存入所述片外Flash中;所述测试指令转换电路从所述片外Flash中取回所述二进制指令流,并解析所述二进制指令流,并将所述二进制指令流通过中央处理器接口传递给所述TAP控制器;所述TAP控制器接收到所述二进制指令流后,配置所述内嵌自测试电路开启测试功能。
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