[发明专利]基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜

摘要

本发明提供一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜，制备包括：提供第一单晶衬底及第二单晶衬底，分别具有第一离子注入面及第二离子注入面；对第一单晶衬底进行第一离子注入，形成第一缺陷层，对第二单晶衬底进行第二离子注入，形成第二缺陷层；将第一离子注入面与第二离子注入面进行键合；沿第一缺陷层剥离得到第一单晶薄膜层，沿第二缺陷层剥离得到第二单晶薄膜层，获得柔性单晶薄膜。本发明采用对称应力补偿技术，制备了由第一单晶薄膜层及第二单晶薄膜层构成的柔性单晶薄膜，避免了制备的薄膜卷曲、碎裂的问题；使得可以得到具备超薄、超轻、柔性且可以自支撑特性的薄膜；可以通过本发明的方案制备得到大面积的柔性单晶薄膜。

主权项

1.一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供第一单晶衬底及第二单晶衬底，且所述第一单晶衬底具有第一离子注入面，所述第二单晶衬底具有第二离子注入面；2)自所述第一离子注入面对所述第一单晶衬底进行第一离子注入，以在所述第一单晶衬底中形成第一缺陷层，自所述第二离子注入面对所述第二单晶衬底进行第二离子注入，以在所述第二单晶衬底中形成第二缺陷层；3)将所述第一离子注入面与所述第二离子注入面进行键合；以及4)沿所述第一缺陷层剥离部分所述第一单晶衬底以得到第一单晶薄膜层，沿所述第二缺陷层剥离部分所述第二单晶衬底以得到第二单晶薄膜层，从而获得由键合的所述第一单晶薄膜层及所述第二单晶薄膜层构成的所述柔性单晶薄膜。